ARF INSIGHT
Yüksek Hızlı GaN Tasarımlarında PCB Layout Stratejileri
Galyum Nitrat (GaN) tabanlı güç dönüştürücülerde anahtarlama hızları ns (nanosaniye) mertebesindedir. Bu hızlarda, PCB üzerindeki 1 mm'lik bir yol bile devasa bir parazitik endüktansa dönüşebilir.
ARF DESIGN RULE #01
Gate Drive Loop Minimizasyonu: Gate sürücü sinyali ile güç kaynağı dönüş yolu arasındaki döngü alanı (loop area) sıfıra yakın tutulmalıdır. Biz ARF olarak, "Vertical Loop" metodolojisini kullanarak bu alanı geleneksel tasarımlara göre %60 oranında daraltıyoruz.
Katman Yapısı ve Shielding
EMC performansını artırmak için sinyal katmanlarının hemen altında kesintisiz bir GND düzlemi (Ground Plane) bulundurmak şarttır. Yüksek dV/dt değişimlerinin olduğu bölgelerde "Keep-out" alanları oluşturarak kuplaj kapasitansını minimize ediyoruz.